离子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
리자속능량화츤저온도대양화구결구적영향
Effect of Ion Energy and Substrate Temperature on Gadolinium Oxide Structure
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 z1期 57-60 ,共4页

    周剑平%柴春林%杨少延%刘志凯%宋书林%李艳丽%陈诺夫%林元华

    주검평%시춘림%양소연%류지개%송서림%리염려%진낙부%림원화

    离子束沉积%晶体结构%XPS 離子束沉積%晶體結構%XPS
    리자속침적%정체결구%XPS
    利用双离子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜.离子束能量在100～500eV范围内,衬底温度较低时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向.当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束加热的作用,导致低温下出现单斜结构.XPS研究表明薄膜中存在氧缺陷,改进工艺条件可消除部分缺陷.
    이용쌍리자속침적기술,재Si(100)츤저상제비료양화구박막.리자속능량재100～500eV범위내,츤저온도교저시박막위(402)택우취향적단사결구,수착츤저온도적증가,택우취향전위(202)방향.당츤저온도시700℃시,출현료립방결구,저시유우리자속가열적작용,도치저온하출현단사결구.XPS연구표명박막중존재양결함,개진공예조건가소제부분결함.
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