电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
7期
52-55
,共4页
半导体技术%非晶硒%X射线平板探测仪%热蒸镀
半導體技術%非晶硒%X射線平闆探測儀%熱蒸鍍
반도체기술%비정서%X사선평판탐측의%열증도
基于传统工艺,新研制开发了一套非晶硒合金膜制备的设备和工艺流程.实验采用高真空电阻加热蒸镀方法,已制备出面积为180 mm×180 mm的非晶硒合金膜并进行了基本特性检测.测试结果表明:所制备的膜非晶化程度高,厚度最大为90 μm,厚度分布比较均匀,相对误差在10%以内.所制备的膜满足光电转换膜的基本特性要求.
基于傳統工藝,新研製開髮瞭一套非晶硒閤金膜製備的設備和工藝流程.實驗採用高真空電阻加熱蒸鍍方法,已製備齣麵積為180 mm×180 mm的非晶硒閤金膜併進行瞭基本特性檢測.測試結果錶明:所製備的膜非晶化程度高,厚度最大為90 μm,厚度分佈比較均勻,相對誤差在10%以內.所製備的膜滿足光電轉換膜的基本特性要求.
기우전통공예,신연제개발료일투비정서합금막제비적설비화공예류정.실험채용고진공전조가열증도방법,이제비출면적위180 mm×180 mm적비정서합금막병진행료기본특성검측.측시결과표명:소제비적막비정화정도고,후도최대위90 μm,후도분포비교균균,상대오차재10%이내.소제비적막만족광전전환막적기본특성요구.
