半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
8期
1386-1390
,共5页
王坤%姚淑德%丁志博%朱俊杰%傅竹西
王坤%姚淑德%丁誌博%硃俊傑%傅竹西
왕곤%요숙덕%정지박%주준걸%부죽서
ZnO/SiC/Si%卢瑟福背散射/沟道%高分辨X射线衍射%结构性质
ZnO/SiC/Si%盧瑟福揹散射/溝道%高分辨X射線衍射%結構性質
ZnO/SiC/Si%로슬복배산사/구도%고분변X사선연사%결구성질
采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜,通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)及高分辨X射线衍射(HR-XRD)技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析,结果表明在采用SiC缓冲层后,Si(111)衬底上ZnO(0002)面衍射峰半高宽明显减小,缺陷密度降低,单晶质量显著变好,c轴方向应变由0.49%变为-0.16%,即由拉应变变为压应变且应变值变小,说明SiC缓冲层可以有效地减小ZnO与Si衬底晶格失配带来的应变,改善外延膜质量,实现Si衬底上单晶ZnO的生长.
採用連通式雙反應室高溫MOCVD繫統在Si襯底上外延ZnO薄膜,通過盧瑟福揹散射/溝道(RBS/C)及高分辨X射線衍射(HR-XRD)技術對不同襯底條件的ZnO外延膜進行瞭組分及結構分析,結果錶明在採用SiC緩遲層後,Si(111)襯底上ZnO(0002)麵衍射峰半高寬明顯減小,缺陷密度降低,單晶質量顯著變好,c軸方嚮應變由0.49%變為-0.16%,即由拉應變變為壓應變且應變值變小,說明SiC緩遲層可以有效地減小ZnO與Si襯底晶格失配帶來的應變,改善外延膜質量,實現Si襯底上單晶ZnO的生長.
채용련통식쌍반응실고온MOCVD계통재Si츤저상외연ZnO박막,통과로슬복배산사/구도(RBS/C)급고분변X사선연사(HR-XRD)기술대불동츤저조건적ZnO외연막진행료조분급결구분석,결과표명재채용SiC완충층후,Si(111)츤저상ZnO(0002)면연사봉반고관명현감소,결함밀도강저,단정질량현저변호,c축방향응변유0.49%변위-0.16%,즉유랍응변변위압응변차응변치변소,설명SiC완충층가이유효지감소ZnO여Si츤저정격실배대래적응변,개선외연막질량,실현Si츤저상단정ZnO적생장.
