科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2007年
8期
1613-1616
,共4页
陈颖%撒昱%叶志生%白云%王升平%高惠敏
陳穎%撒昱%葉誌生%白雲%王升平%高惠敏
진영%살욱%협지생%백운%왕승평%고혜민
电光Q开关%功率MOSFET管%雪崩管%电子管
電光Q開關%功率MOSFET管%雪崩管%電子管
전광Q개관%공솔MOSFET관%설붕관%전자관
比较了三种不同的电光调Q驱动电路.电子管式调Q电路工作稳定,退压沿70 ns左右,但空间体积大,激光脉冲能量较低;雪崩管串联武调Q电路退压时间大约为20 ns,输出激光脉冲能量高,脉宽窄;MOSFET管串联调Q电路,简单可靠,单管耐压高,退压时间为50 ns.
比較瞭三種不同的電光調Q驅動電路.電子管式調Q電路工作穩定,退壓沿70 ns左右,但空間體積大,激光脈遲能量較低;雪崩管串聯武調Q電路退壓時間大約為20 ns,輸齣激光脈遲能量高,脈寬窄;MOSFET管串聯調Q電路,簡單可靠,單管耐壓高,退壓時間為50 ns.
비교료삼충불동적전광조Q구동전로.전자관식조Q전로공작은정,퇴압연70 ns좌우,단공간체적대,격광맥충능량교저;설붕관천련무조Q전로퇴압시간대약위20 ns,수출격광맥충능량고,맥관착;MOSFET관천련조Q전로,간단가고,단관내압고,퇴압시간위50 ns.
