江南大学学报（自然科学版）
江南大學學報（自然科學版）
강남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHERN YANGTZE UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
2008年
2期
183-186
,共4页
章曙东%周国华%张光春%施正荣%朱拓
章曙東%週國華%張光春%施正榮%硃拓
장서동%주국화%장광춘%시정영%주탁
背面钝化%SiN膜%SiO2/SiN双层膜%退火
揹麵鈍化%SiN膜%SiO2/SiN雙層膜%退火
배면둔화%SiN막%SiO2/SiN쌍층막%퇴화
针对硅太阳电池的背表面钝化,研究了在多晶硅P型衬底上SiN膜及SiO2/SiN双层膜的热稳定性及在不同温度下两种膜的退火特性. 通过准稳态光电导衰减法测试其少数载流子寿命,发现SiN膜比较适合于在500 ℃以内的温度下进行常规炉热退火,而SiO2/SiN双层膜则比较适合在600～700 ℃之间的温度下进行常规炉热退火. 对SiN膜进行链式炉热退火实验表明,低温(700～850 ℃)条件下表面钝化效果最好.
針對硅太暘電池的揹錶麵鈍化,研究瞭在多晶硅P型襯底上SiN膜及SiO2/SiN雙層膜的熱穩定性及在不同溫度下兩種膜的退火特性. 通過準穩態光電導衰減法測試其少數載流子壽命,髮現SiN膜比較適閤于在500 ℃以內的溫度下進行常規爐熱退火,而SiO2/SiN雙層膜則比較適閤在600～700 ℃之間的溫度下進行常規爐熱退火. 對SiN膜進行鏈式爐熱退火實驗錶明,低溫(700～850 ℃)條件下錶麵鈍化效果最好.
침대규태양전지적배표면둔화,연구료재다정규P형츤저상SiN막급SiO2/SiN쌍층막적열은정성급재불동온도하량충막적퇴화특성. 통과준은태광전도쇠감법측시기소수재류자수명,발현SiN막비교괄합우재500 ℃이내적온도하진행상규로열퇴화,이SiO2/SiN쌍층막칙비교괄합재600～700 ℃지간적온도하진행상규로열퇴화. 대SiN막진행련식로열퇴화실험표명,저온(700～850 ℃)조건하표면둔화효과최호.
