物理学报
物理學報
물이학보
2008年
6期
3674-3678
,共5页
周江%韦德远%徐骏%李伟%宋凤麒%万建国%徐岭%马忠元
週江%韋德遠%徐駿%李偉%宋鳳麒%萬建國%徐嶺%馬忠元
주강%위덕원%서준%리위%송봉기%만건국%서령%마충원
纳米硅%场发射%激光晶化
納米硅%場髮射%激光晶化
납미규%장발사%격광정화
利用KrF准分子激光退火超薄非晶硅膜,并结合热退火技术制备了单层纳米硅薄膜并研究了薄膜的场电子发射性质.在晶化形成的纳米硅薄膜中可以观测到稳定的场电子发射现象,其开启电场从原始淀积的非晶硅薄膜的17V/μm降低到8.5V/μm,而场发射电流密度可以达到0.1 mA/μm2.激光晶化后形成的纳米硅材料的场电子发射特性的改善可以从薄膜表面形貌的改变以及高密度纳米硅的形成所导致的内部电场增强作用来解释.
利用KrF準分子激光退火超薄非晶硅膜,併結閤熱退火技術製備瞭單層納米硅薄膜併研究瞭薄膜的場電子髮射性質.在晶化形成的納米硅薄膜中可以觀測到穩定的場電子髮射現象,其開啟電場從原始澱積的非晶硅薄膜的17V/μm降低到8.5V/μm,而場髮射電流密度可以達到0.1 mA/μm2.激光晶化後形成的納米硅材料的場電子髮射特性的改善可以從薄膜錶麵形貌的改變以及高密度納米硅的形成所導緻的內部電場增彊作用來解釋.
이용KrF준분자격광퇴화초박비정규막,병결합열퇴화기술제비료단층납미규박막병연구료박막적장전자발사성질.재정화형성적납미규박막중가이관측도은정적장전자발사현상,기개계전장종원시정적적비정규박막적17V/μm강저도8.5V/μm,이장발사전류밀도가이체도0.1 mA/μm2.격광정화후형성적납미규재료적장전자발사특성적개선가이종박막표면형모적개변이급고밀도납미규적형성소도치적내부전장증강작용래해석.
