SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展
SOI광파도기건화집성광개관구진적연구진전
  • 万方数据
    中国科学E辑 중국과학E집
    SCIENCE IN CHINA (SERIES E)
    2004年 10期 1081-1093 ,共13页

    余金中%陈少武%夏金松%王章涛%樊中朝%李艳萍%刘敬伟%杨笛%陈媛媛

    여금중%진소무%하금송%왕장도%번중조%리염평%류경위%양적%진원원

    SOI(绝缘衬底上的硅) 光波导 单模条件 MMI(多模干涉) 集成光开关矩阵 SOI(絕緣襯底上的硅) 光波導 單模條件 MMI(多模榦涉) 集成光開關矩陣
    SOI(절연츤저상적규) 광파도 단모조건 MMI(다모간섭) 집성광개관구진
    SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型2×2热光波导光开关, 在此基础上首次研制出4×4和8(8 SOI平面集成波导光开关矩阵.
    SOI(Silicon-on-insulator, 절연츤저상적규)시일충절사솔차대、파도전수손모소적신형재료, SOI기광전자기건구유여미전자공예겸용、능구실현OEIC단편집성등우점, 근년래수도월래월다적중시. 문중중점연구료SOI파도기건적신진전, 채용고효수치모의방법연구득출료정학적SOI구형화제형대절면척형파도적단모조건, 설계화제작료단모척형광파도、다모간섭우합기(MMI)、가변광쇠감기(VOA)、마혁-증덕이간섭형2×2열광파도광개관, 재차기출상수차연제출4×4화8(8 SOI평면집성파도광개관구진.
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