CAJ | 학술논문

以含阵列电极的SOI硅基芯片与PDMS盖片制成的复合电泳芯片为对象,研究芯片电泳过程中芯片微管道的特殊表面电化学性质.实验采用电流监测法,利用溶液探针测试体系来表征微管道的电绝缘性,由于工艺缺陷或芯片长时间使用引起的绝缘层不同程度的损坏,导致在充液管道中产生的10-500μA的基底电流,这又导致不同程度焦耳热,进而导致电渗流无法稳定和芯片电泳过程无法正常进行.实验提出通过优化硅-PDMS电泳芯片的结构设计来避免和减小基体电流,同时采用以导热硅酯为介质的散热器对硅片试验体系进行散热,进一步减小焦耳热的影响以获得稳定的电渗流.在此基础之上,实验测得硅-PDMS微管道中的电渗迁移率为3.9×10-4 cm2/V·s,伏安曲线显示5 mmol硼砂缓冲中最大施加电压为260 V/cm;采用本文提出的复合芯片系统,分离FITC标记的精氨酸和苯丙氨酸混合样品,分离度达到3.14,柱效分别达到18 000和25 000.
이함진렬전겁적SOI규기심편여PDMS개편제성적복합전영심편위대상,연구심편전영과정중심편미관도적특수표면전화학성질.실험채용전류감측법,이용용액탐침측시체계래표정미관도적전절연성,유우공예결함혹심편장시간사용인기적절연층불동정도적손배,도치재충액관도중산생적10-500μA적기저전류,저우도치불동정도초이열,진이도치전삼류무법은정화심편전영과정무법정상진행.실험제출통과우화규-PDMS전영심편적결구설계래피면화감소기체전류,동시채용이도열규지위개질적산열기대규편시험체계진행산열,진일보감소초이열적영향이획득은정적전삼류.재차기출지상,실험측득규-PDMS미관도중적전삼천이솔위3.9×10-4 cm2/V·s,복안곡선현시5 mmol붕사완충중최대시가전압위260 V/cm;채용본문제출적복합심편계통,분리FITC표기적정안산화분병안산혼합양품,분리도체도3.14,주효분별체도18 000화25 000.