微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
4期
222-230
,共9页
周绍林%唐小萍%胡松%马平%陈旺富%杨勇%严伟
週紹林%唐小萍%鬍鬆%馬平%陳旺富%楊勇%嚴偉
주소림%당소평%호송%마평%진왕부%양용%엄위
纳米光刻%对准技术%掩模与硅片%标记%对准精度
納米光刻%對準技術%掩模與硅片%標記%對準精度
납미광각%대준기술%엄모여규편%표기%대준정도
对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用.45 nm节点以下的光刻技术如纳米压印等,对相应的对准技术提出了更高的要求.对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类,为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论研究基础和方向.经过分析,从原理上将对准技术分为几何成像对准、波带片对准、干涉光强度对准、外差干涉对准及莫尔条纹等五种对准方法.最后结论得出基于条纹空间相位的对准方法具有最好的抗干扰能力且理论上能达到最高的对准精度,而其他基于光强的对准方法的精度更易受到工艺涂层的影响.因此,基于干涉条纹空间相位对准的方法在纳米级光刻对准中具有很好的理论前景.
對準技術對光刻分辨力的提高有著重要作用.45 nm節點以下的光刻技術如納米壓印等,對相應的對準技術提齣瞭更高的要求.對光刻技術髮展以來主要用于接近接觸式和納米壓印光刻的對準技術做總結分類,為高精度的納米級光刻對準技術提供理論研究基礎和方嚮.經過分析,從原理上將對準技術分為幾何成像對準、波帶片對準、榦涉光彊度對準、外差榦涉對準及莫爾條紋等五種對準方法.最後結論得齣基于條紋空間相位的對準方法具有最好的抗榦擾能力且理論上能達到最高的對準精度,而其他基于光彊的對準方法的精度更易受到工藝塗層的影響.因此,基于榦涉條紋空間相位對準的方法在納米級光刻對準中具有很好的理論前景.
대준기술대광각분변력적제고유착중요작용.45 nm절점이하적광각기술여납미압인등,대상응적대준기술제출료경고적요구.대광각기술발전이래주요용우접근접촉식화납미압인광각적대준기술주총결분류,위고정도적납미급광각대준기술제공이론연구기출화방향.경과분석,종원리상장대준기술분위궤하성상대준、파대편대준、간섭광강도대준、외차간섭대준급막이조문등오충대준방법.최후결론득출기우조문공간상위적대준방법구유최호적항간우능력차이론상능체도최고적대준정도,이기타기우광강적대준방법적정도경역수도공예도층적영향.인차,기우간섭조문공간상위대준적방법재납미급광각대준중구유흔호적이론전경.
