半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
9期
668-671
,共4页
尹甲运%刘波%王晶晶%李佳%敦少博%冯志红%蔡树军
尹甲運%劉波%王晶晶%李佳%敦少博%馮誌紅%蔡樹軍
윤갑운%류파%왕정정%리가%돈소박%풍지홍%채수군
GaN%Al沉积时间%喇曼%光荧光谱%硅衬底
GaN%Al沉積時間%喇曼%光熒光譜%硅襯底
GaN%Al침적시간%나만%광형광보%규츤저
通过改变高温AlN形核层生长时提前通入TMAl的时间,分别在Si (111)衬底上生长了4个1μm厚的GaN样品,并对每个样品的GaN外延材料进行了分析研究.通过显微镜观察发现,Al的沉积时间为12 s时,GaN材料表面光亮,基本没有裂纹.另外通过喇曼谱和光荧光谱(PL)测试得出,随着生长初期Al沉积时间的增加(8～15 s),GaN外延层的水平应力逐渐减小(由1.28 GPa减小到0.67 GPa),Al的沉积时间为12 s时GaN外延材料的应力较小.同时,GaN材料(002)和(102)晶面的X射线衍射摇摆曲线表明,Al的沉积时间为12 s时GaN外延材料的晶体质量最好.
通過改變高溫AlN形覈層生長時提前通入TMAl的時間,分彆在Si (111)襯底上生長瞭4箇1μm厚的GaN樣品,併對每箇樣品的GaN外延材料進行瞭分析研究.通過顯微鏡觀察髮現,Al的沉積時間為12 s時,GaN材料錶麵光亮,基本沒有裂紋.另外通過喇曼譜和光熒光譜(PL)測試得齣,隨著生長初期Al沉積時間的增加(8～15 s),GaN外延層的水平應力逐漸減小(由1.28 GPa減小到0.67 GPa),Al的沉積時間為12 s時GaN外延材料的應力較小.同時,GaN材料(002)和(102)晶麵的X射線衍射搖襬麯線錶明,Al的沉積時間為12 s時GaN外延材料的晶體質量最好.
통과개변고온AlN형핵층생장시제전통입TMAl적시간,분별재Si (111)츤저상생장료4개1μm후적GaN양품,병대매개양품적GaN외연재료진행료분석연구.통과현미경관찰발현,Al적침적시간위12 s시,GaN재료표면광량,기본몰유렬문.령외통과나만보화광형광보(PL)측시득출,수착생장초기Al침적시간적증가(8～15 s),GaN외연층적수평응력축점감소(유1.28 GPa감소도0.67 GPa),Al적침적시간위12 s시GaN외연재료적응력교소.동시,GaN재료(002)화(102)정면적X사선연사요파곡선표명,Al적침적시간위12 s시GaN외연재료적정체질량최호.
