应用激光
應用激光
응용격광
APPLIED LASER
2011年
4期
291-295
,共5页
李雪梅%龙芋宏%邹登峰%熊良才
李雪梅%龍芋宏%鄒登峰%熊良纔
리설매%룡우굉%추등봉%웅량재
激光%刻蚀%电化学%Si%不锈钢
激光%刻蝕%電化學%Si%不鏽鋼
격광%각식%전화학%Si%불수강
为探讨不同激光电化学刻蚀的工艺特性,采用两种激光(KrF:248 nm,20ns和半导体激光:808 nm连续)作为光源,聚焦激光照射浸于溶液中的阳极上,实现激光诱导电化学刻蚀材料.在实验的基础上,通过对金属和半导体材料刻蚀的比较,分析了不同激光电化学刻蚀不同材料的工艺特点.讨论两种激光对半导体与金属的不同刻蚀机制,并比较了这两种激光对不同材料的刻蚀性能.实验表明,248 nm激光电化学刻蚀工艺中直刻占主要部分,该工艺刻蚀硅比刻蚀金属有更好的刻蚀速率;808 nm激光诱导电化学刻蚀工艺是一个光热刻蚀过程,该工艺不适合刻蚀半导体材料.
為探討不同激光電化學刻蝕的工藝特性,採用兩種激光(KrF:248 nm,20ns和半導體激光:808 nm連續)作為光源,聚焦激光照射浸于溶液中的暘極上,實現激光誘導電化學刻蝕材料.在實驗的基礎上,通過對金屬和半導體材料刻蝕的比較,分析瞭不同激光電化學刻蝕不同材料的工藝特點.討論兩種激光對半導體與金屬的不同刻蝕機製,併比較瞭這兩種激光對不同材料的刻蝕性能.實驗錶明,248 nm激光電化學刻蝕工藝中直刻佔主要部分,該工藝刻蝕硅比刻蝕金屬有更好的刻蝕速率;808 nm激光誘導電化學刻蝕工藝是一箇光熱刻蝕過程,該工藝不適閤刻蝕半導體材料.
위탐토불동격광전화학각식적공예특성,채용량충격광(KrF:248 nm,20ns화반도체격광:808 nm련속)작위광원,취초격광조사침우용액중적양겁상,실현격광유도전화학각식재료.재실험적기출상,통과대금속화반도체재료각식적비교,분석료불동격광전화학각식불동재료적공예특점.토론량충격광대반도체여금속적불동각식궤제,병비교료저량충격광대불동재료적각식성능.실험표명,248 nm격광전화학각식공예중직각점주요부분,해공예각식규비각식금속유경호적각식속솔;808 nm격광유도전화학각식공예시일개광열각식과정,해공예불괄합각식반도체재료.
