CAJ | 학술논문

采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响.结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深；高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深；计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12 cm2/s、1.341 10-12 cm2/s、1.067× 10-12 cm2/s.
채용폐관확산방식,대불동결구적이질결외연재료In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As실현료Zn원소적P형참잡,채용소묘전용현미기술(SCM)화이차리자질보(SIMS)연구료재심편제비중고온쾌속열퇴화(RTP)처리배절대p-n결결심적영향.결과표명:유우재저3충이질결외연재료중참잡적Zn원소병미완전격활,도치확산심도명현대우p-n결결심；고온쾌속열퇴화처리병불회현저영향결심적변화,확산완성후적p-n결심도가이근사위기건최종적p-n결결심；계산료530℃하Zn재In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP중적확산계수D분별위1.327×10-12 cm2/s、1.341 10-12 cm2/s、1.067× 10-12 cm2/s.