光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2004年
6期
735-738
,共4页
顾四朋%侯立松%赵启涛%黄瑞安
顧四朋%侯立鬆%趙啟濤%黃瑞安
고사붕%후립송%조계도%황서안
Ge2Sb2Te5薄膜%Sn掺杂%光学性质%短波长光存储%反射率衬比度
Ge2Sb2Te5薄膜%Sn摻雜%光學性質%短波長光存儲%反射率襯比度
Ge2Sb2Te5박막%Sn참잡%광학성질%단파장광존저%반사솔츤비도
提高存储密度和存取速率一直是光存储发展的方向,这对目前用于可擦重写存储的相变材料提出了越来越多的要求:它们既要对短波长有足够的响应,同时其相变速度也越快越好.因此,相变材料性能的改进十分重要,掺杂是提高相变材料性能的重要手段之一.用直流溅射法制备了掺杂不同量Sn的Ge2Sb2Te5相变薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现:薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.研究了薄膜在250～900 nm区域的反射光谱和透射光谱.结果表明:适当的Sn掺杂能大大增加热处理前后材料在短波长(300～405 nm)的反射率衬比度,可见,通过Sn掺杂改良相变材料的短波长光存储性能是一种有效的途径.
提高存儲密度和存取速率一直是光存儲髮展的方嚮,這對目前用于可抆重寫存儲的相變材料提齣瞭越來越多的要求:它們既要對短波長有足夠的響應,同時其相變速度也越快越好.因此,相變材料性能的改進十分重要,摻雜是提高相變材料性能的重要手段之一.用直流濺射法製備瞭摻雜不同量Sn的Ge2Sb2Te5相變薄膜,由熱處理前後薄膜的X射線衍射(XRD)髮現:薄膜髮生瞭從非晶態到晶態的相變.研究瞭薄膜在250～900 nm區域的反射光譜和透射光譜.結果錶明:適噹的Sn摻雜能大大增加熱處理前後材料在短波長(300～405 nm)的反射率襯比度,可見,通過Sn摻雜改良相變材料的短波長光存儲性能是一種有效的途徑.
제고존저밀도화존취속솔일직시광존저발전적방향,저대목전용우가찰중사존저적상변재료제출료월래월다적요구:타문기요대단파장유족구적향응,동시기상변속도야월쾌월호.인차,상변재료성능적개진십분중요,참잡시제고상변재료성능적중요수단지일.용직류천사법제비료참잡불동량Sn적Ge2Sb2Te5상변박막,유열처리전후박막적X사선연사(XRD)발현:박막발생료종비정태도정태적상변.연구료박막재250～900 nm구역적반사광보화투사광보.결과표명:괄당적Sn참잡능대대증가열처리전후재료재단파장(300～405 nm)적반사솔츤비도,가견,통과Sn참잡개량상변재료적단파장광존저성능시일충유효적도경.
