固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
3期
320-324
,共5页
仇应华%王志功%朱恩%冯军%熊明珍%夏春晓
仇應華%王誌功%硃恩%馮軍%熊明珍%夏春曉
구응화%왕지공%주은%풍군%웅명진%하춘효
非归零码%时钟信息提取%双平衡Gilbert单元%容性耦合差动电流放大器%砷化镓
非歸零碼%時鐘信息提取%雙平衡Gilbert單元%容性耦閤差動電流放大器%砷化鎵
비귀령마%시종신식제취%쌍평형Gilbert단원%용성우합차동전류방대기%신화가
利用法国OMMIC公司的0.2 μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了10 Gb/s NRZ码时钟信息提取电路.该电路采用改进型双平衡Gilbert单元的结构,引进了容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,大大提高了电路的性能.测试表明:在输入速率为9.953 28 Gb/s长度为223-1伪随机序列的情况下,提取出的时钟的均方根抖动是1.18 ps,峰峰值抖动是8.44 ps.芯片面积为0.5 mm×1 mm,采用-5 V电源供电,功耗约为100 mW.
利用法國OMMIC公司的0.2 μm GaAs PHEMT工藝,設計實現瞭10 Gb/s NRZ碼時鐘信息提取電路.該電路採用改進型雙平衡Gilbert單元的結構,引進瞭容性源極耦閤差動電流放大器和調諧負載電路,大大提高瞭電路的性能.測試錶明:在輸入速率為9.953 28 Gb/s長度為223-1偽隨機序列的情況下,提取齣的時鐘的均方根抖動是1.18 ps,峰峰值抖動是8.44 ps.芯片麵積為0.5 mm×1 mm,採用-5 V電源供電,功耗約為100 mW.
이용법국OMMIC공사적0.2 μm GaAs PHEMT공예,설계실현료10 Gb/s NRZ마시종신식제취전로.해전로채용개진형쌍평형Gilbert단원적결구,인진료용성원겁우합차동전류방대기화조해부재전로,대대제고료전로적성능.측시표명:재수입속솔위9.953 28 Gb/s장도위223-1위수궤서렬적정황하,제취출적시종적균방근두동시1.18 ps,봉봉치두동시8.44 ps.심편면적위0.5 mm×1 mm,채용-5 V전원공전,공모약위100 mW.
