微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2005年
11期
515-517
,共3页
赵永林%蔡道明%周州%郭亚娜%刘跳
趙永林%蔡道明%週州%郭亞娜%劉跳
조영림%채도명%주주%곽아나%류도
湿法选择腐蚀%选择比%InP/InAlAs%光电子集成电路
濕法選擇腐蝕%選擇比%InP/InAlAs%光電子集成電路
습법선택부식%선택비%InP/InAlAs%광전자집성전로
介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果,重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择腐蚀,用HCl:H3PO4:CH3COOH系列腐蚀液,InP/InAlAs选择比大于300.InP/InAlAs湿法选择腐蚀的结果可以很好应用到OEIC芯片制作中,并取得了较好的器件及电路结果.
介紹瞭兩種選擇腐蝕液對InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs異質結構材料選擇腐蝕的實驗結果,重點介紹在InAlAs上麵生長InP的濕法選擇腐蝕,用HCl:H3PO4:CH3COOH繫列腐蝕液,InP/InAlAs選擇比大于300.InP/InAlAs濕法選擇腐蝕的結果可以很好應用到OEIC芯片製作中,併取得瞭較好的器件及電路結果.
개소료량충선택부식액대InGaAs(InAlAs)/InP화InP/InAlAs이질결구재료선택부식적실험결과,중점개소재InAlAs상면생장InP적습법선택부식,용HCl:H3PO4:CH3COOH계렬부식액,InP/InAlAs선택비대우300.InP/InAlAs습법선택부식적결과가이흔호응용도OEIC심편제작중,병취득료교호적기건급전로결과.
