Si基HgCdTe材料的电学特性研究
Si기HgCdTe재료적전학특성연구
Study of Si-substrate HgCdTe Electrical Properties
  • 万方数据
    激光与红外 격광여홍외
    LASER & INFRARED
    2007年 z1期 919-923 ,共5页

    魏青竹%吴俊%巫艳%陈路%于梅芳%王伟强%傅祥良%何力

    위청죽%오준%무염%진로%우매방%왕위강%부상량%하력

    Si基%HgCdTe%电学参数%少子寿命%变温霍耳%分子束外延 Si基%HgCdTe%電學參數%少子壽命%變溫霍耳%分子束外延
    Si기%HgCdTe%전학삼수%소자수명%변온곽이%분자속외연
    文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性.研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高.采用分子束外延方法制备的3in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高.改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键.
    문장연구료Si기분자속외연HgCdTe원생재료、P형퇴화재료화N형퇴화재료적곽이삼수、소자수명등재료전학특성.연구발현,정격실배도치Si기HgCdTe재료원생재료화N형퇴화재료천이솔저;Si기원생HgCdTe재료속우고보상재료,단고보상성병비재료적고유특성,통과P형퇴화가사재료변위저보상재료,천이솔득도제고.채용분자속외연방법제비적3in Si기HgCdTe재료전학성능여GaAs기HgCdTe재료상비,성능환유대제고.개진분자속외연생장공예제고HgCdTe질량,종이진일보제고천이솔,시Si기외연연구적관건.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문