功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2008年
1期
59-64
,共6页
金仁成%翁雪军%王立鼎%张五金
金仁成%翁雪軍%王立鼎%張五金
금인성%옹설군%왕립정%장오금
SnO2%密度泛函理论%电子结构%能隙
SnO2%密度汎函理論%電子結構%能隙
SnO2%밀도범함이론%전자결구%능극
应用第一性原理DFT(密度泛函理论)研究了具有(1×1)和(2×1)对称性的SnO2(110)氧化表面、还原表面和缺陷表面的几何结构与电子结构,重点分析了表面氧空穴(O vacancy)对表面电子结构的影响以及对气体分子吸附的影响.研究结果表明,由于表面空穴的存在,SnO2(110)表面能隙中都出现了明显的表面态,由于表面氧的流失而留下来的电荷是产生这些表面态的主要原因,这些电荷主要集中在Sn上和附近的空穴中,与这些电荷相关的轨道是氧化物表面吸附研究的关键.
應用第一性原理DFT(密度汎函理論)研究瞭具有(1×1)和(2×1)對稱性的SnO2(110)氧化錶麵、還原錶麵和缺陷錶麵的幾何結構與電子結構,重點分析瞭錶麵氧空穴(O vacancy)對錶麵電子結構的影響以及對氣體分子吸附的影響.研究結果錶明,由于錶麵空穴的存在,SnO2(110)錶麵能隙中都齣現瞭明顯的錶麵態,由于錶麵氧的流失而留下來的電荷是產生這些錶麵態的主要原因,這些電荷主要集中在Sn上和附近的空穴中,與這些電荷相關的軌道是氧化物錶麵吸附研究的關鍵.
응용제일성원리DFT(밀도범함이론)연구료구유(1×1)화(2×1)대칭성적SnO2(110)양화표면、환원표면화결함표면적궤하결구여전자결구,중점분석료표면양공혈(O vacancy)대표면전자결구적영향이급대기체분자흡부적영향.연구결과표명,유우표면공혈적존재,SnO2(110)표면능극중도출현료명현적표면태,유우표면양적류실이류하래적전하시산생저사표면태적주요원인,저사전하주요집중재Sn상화부근적공혈중,여저사전하상관적궤도시양화물표면흡부연구적관건.
