原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2008年
5期
470-474
,共5页
薛玉雄%曹洲%郭祖佑%杨世宇%田恺
薛玉雄%曹洲%郭祖祐%楊世宇%田愷
설옥웅%조주%곽조우%양세우%전개
功率MOSFET器件%γ射线%剂量率%总剂量效应
功率MOSFET器件%γ射線%劑量率%總劑量效應
공솔MOSFET기건%γ사선%제량솔%총제량효응
选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象,就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究.在试验中,选取钴-60 γ射线,以不同剂量率进行辐照试验.通过试验研究,获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性.结果表明,低剂量率更易引起器件损伤.
選取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261為研究對象,就劑量率對MOSFET器件總劑量效應的影響進行試驗研究.在試驗中,選取鈷-60 γ射線,以不同劑量率進行輻照試驗.通過試驗研究,穫得瞭被試器件閾值電壓、漏電流和擊穿電壓隨總劑量率的變化特性.結果錶明,低劑量率更易引起器件損傷.
선취전형적성용공솔MOSFET기건JANTXV 2N6798화JANTXV 2N7261위연구대상,취제량솔대MOSFET기건총제량효응적영향진행시험연구.재시험중,선취고-60 γ사선,이불동제량솔진행복조시험.통과시험연구,획득료피시기건역치전압、루전류화격천전압수총제량솔적변화특성.결과표명,저제량솔경역인기기건손상.
