深圳大学学报（理工版）
深圳大學學報（理工版）
심수대학학보（리공판）
JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY (SCIENCE & ENGINEERING)
2011年
1期
84-88
,共5页
范平%郑壮豪%梁广兴%张东平%蔡兴民
範平%鄭壯豪%樑廣興%張東平%蔡興民
범평%정장호%량엄흥%장동평%채흥민
凝聚态物理%离子束溅射%Bi2Te3薄膜%热电材料%晶体结构%电学性能%热处理
凝聚態物理%離子束濺射%Bi2Te3薄膜%熱電材料%晶體結構%電學性能%熱處理
응취태물리%리자속천사%Bi2Te3박막%열전재료%정체결구%전학성능%열처리
采用离子束溅射技术,溅射不同面积比例的Bi/Te二元复合靶,制备Bi2Te3热电薄膜,所制备的薄膜Bi:Te原子比接近2:3.X射线衍射测量结果显示,薄膜的主要衍射峰与Bi2Te3标准衍射峰相同,在(015)晶面上择优选向明显,存在少量的Bi和[Bi,Te]杂质峰.霍尔系数测试及Seebeck系数测量结果表明,薄膜都为n型半导体薄膜,电导率量级为105 Sm-1,电学性能良好.在不同条件下制备的薄膜Seebeck系数最大值为-168 μVK-1,最小值为-32 μVK-1.其中,Bi:Te 原子比为0.69,退火温度为300 ℃的薄膜功率因子最大,达1.1×10-3 Wm-1K-2.
採用離子束濺射技術,濺射不同麵積比例的Bi/Te二元複閤靶,製備Bi2Te3熱電薄膜,所製備的薄膜Bi:Te原子比接近2:3.X射線衍射測量結果顯示,薄膜的主要衍射峰與Bi2Te3標準衍射峰相同,在(015)晶麵上擇優選嚮明顯,存在少量的Bi和[Bi,Te]雜質峰.霍爾繫數測試及Seebeck繫數測量結果錶明,薄膜都為n型半導體薄膜,電導率量級為105 Sm-1,電學性能良好.在不同條件下製備的薄膜Seebeck繫數最大值為-168 μVK-1,最小值為-32 μVK-1.其中,Bi:Te 原子比為0.69,退火溫度為300 ℃的薄膜功率因子最大,達1.1×10-3 Wm-1K-2.
채용리자속천사기술,천사불동면적비례적Bi/Te이원복합파,제비Bi2Te3열전박막,소제비적박막Bi:Te원자비접근2:3.X사선연사측량결과현시,박막적주요연사봉여Bi2Te3표준연사봉상동,재(015)정면상택우선향명현,존재소량적Bi화[Bi,Te]잡질봉.곽이계수측시급Seebeck계수측량결과표명,박막도위n형반도체박막,전도솔량급위105 Sm-1,전학성능량호.재불동조건하제비적박막Seebeck계수최대치위-168 μVK-1,최소치위-32 μVK-1.기중,Bi:Te 원자비위0.69,퇴화온도위300 ℃적박막공솔인자최대,체1.1×10-3 Wm-1K-2.
