高温氨化合成GaN微晶
고온안화합성GaN미정
Synthesis of GaN Microcrystal by Ammoniating under High Temperature
  • 万方数据
    微细加工技术 미세가공기술
    MICROFABRICATION TECHNOLOGY
    2006年 2期 37-40,44 ,共5页

    刘亦安%薛成山%庄惠照%何建廷%吴玉新%田德恒%孙莉莉%艾玉杰%王福学

    류역안%설성산%장혜조%하건정%오옥신%전덕항%손리리%애옥걸%왕복학

    氨化%Ga源温度%合成%GaN晶粒 氨化%Ga源溫度%閤成%GaN晶粒
    안화%Ga원온도%합성%GaN정립
    分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较.结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN.
    분별이용Ga2O3분말화Ga2O3응효작위Ga원,채용NH3위N원,재950℃하,분별장량충반응물여류동적NH3반응20 min합성료GaN미정.용X사선연사(XRD)、소묘전자현미경(SEM)、선택구전자연사(SAED)대미정진행결구、형모적분석,특별시대량충불동도경합성GaN미정적XRD진행료분석비교.결과표명,당Ga원온도위950℃시량충불동적합성도경균가득도륙방섬자광결구적GaN단정과립,재담화온도위850℃화900℃시,이용Ga2O3분말작위Ga원,부유소량적Ga2O3전변위GaN;이채용Ga2O3응효작위Ga원,재상동적온도하,대부분응효경과고온안화반응균가전화위GaN.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문