发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2007年
2期
273-276
,共4页
邓赞红%李达%朱雪斌%陶汝华%董伟伟%方晓东
鄧讚紅%李達%硃雪斌%陶汝華%董偉偉%方曉東
산찬홍%리체%주설빈%도여화%동위위%방효동
溶胶-凝胶%铜铁矿%透明导电氧化物%脉冲激光沉积%薄膜
溶膠-凝膠%銅鐵礦%透明導電氧化物%脈遲激光沉積%薄膜
용효-응효%동철광%투명도전양화물%맥충격광침적%박막
采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法进行了铜铁矿结构单相CuBO2(B=Al,Cr,La)多晶陶瓷的制备,并采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)制备了CuCrO2薄膜.结果表明:溶胶-凝胶法可以成功制备高纯CuAlO2和CuCrO2多晶材料.该方法还可以显著降低烧结温度且使烧结时间显著缩短;所制备的名义组分CuAlO2和CuCrO2样品均呈p型半导体导电行为,CuBO2的电导率随着B位离子半径的增大而明显减小;PLD法制备的CuCrO2薄膜呈高度c轴取向,厚度～200 nm的薄膜在可见光区的平均透射率～80%.
採用溶膠-凝膠法和高溫固相反應法進行瞭銅鐵礦結構單相CuBO2(B=Al,Cr,La)多晶陶瓷的製備,併採用脈遲激光沉積法(Pulsed laser deposition,PLD)製備瞭CuCrO2薄膜.結果錶明:溶膠-凝膠法可以成功製備高純CuAlO2和CuCrO2多晶材料.該方法還可以顯著降低燒結溫度且使燒結時間顯著縮短;所製備的名義組分CuAlO2和CuCrO2樣品均呈p型半導體導電行為,CuBO2的電導率隨著B位離子半徑的增大而明顯減小;PLD法製備的CuCrO2薄膜呈高度c軸取嚮,厚度～200 nm的薄膜在可見光區的平均透射率～80%.
채용용효-응효법화고온고상반응법진행료동철광결구단상CuBO2(B=Al,Cr,La)다정도자적제비,병채용맥충격광침적법(Pulsed laser deposition,PLD)제비료CuCrO2박막.결과표명:용효-응효법가이성공제비고순CuAlO2화CuCrO2다정재료.해방법환가이현저강저소결온도차사소결시간현저축단;소제비적명의조분CuAlO2화CuCrO2양품균정p형반도체도전행위,CuBO2적전도솔수착B위리자반경적증대이명현감소;PLD법제비적CuCrO2박막정고도c축취향,후도～200 nm적박막재가견광구적평균투사솔～80%.
