半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
7期
1354-1356
,共3页
刘果果%郑英奎%魏珂%李诚瞻%刘新宇%和致经
劉果果%鄭英奎%魏珂%李誠瞻%劉新宇%和緻經
류과과%정영규%위가%리성첨%류신우%화치경
氮化镓%高电子迁移率晶体管%微波功率%栅场板
氮化鎵%高電子遷移率晶體管%微波功率%柵場闆
담화가%고전자천이솔정체관%미파공솔%책장판
报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为lmm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率(fT)达到30GHz,最大振荡频率(fmax)为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率(PAE)为45%.
報道瞭基于國產襯底以及國產外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究進展.利用國產襯底以及外延材料,優化瞭器件柵場闆的結構,研製成功柵長0.35μm,柵寬為lmm的微波功率器件.該器件輸齣電流密度達到0.83A/mm,擊穿電壓大于100V,跨導為236mS/mm,截止頻率(fT)達到30GHz,最大振盪頻率(fmax)為32GHz,8GHz下在片進行連續波測試,漏耑電壓為40V時測試得到功率增益4.9dB,輸齣功率達8W,功率附加效率(PAE)為45%.
보도료기우국산츤저이급국산외연적AlGaN/GaN HEMT X파단공솔기건적연구진전.이용국산츤저이급외연재료,우화료기건책장판적결구,연제성공책장0.35μm,책관위lmm적미파공솔기건.해기건수출전류밀도체도0.83A/mm,격천전압대우100V,과도위236mS/mm,절지빈솔(fT)체도30GHz,최대진탕빈솔(fmax)위32GHz,8GHz하재편진행련속파측시,루단전압위40V시측시득도공솔증익4.9dB,수출공솔체8W,공솔부가효솔(PAE)위45%.
