光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2011年
8期
2067-2070
,共4页
王申伟%衣立新%丁甲成%高靖欣%郭逦达%王永生
王申偉%衣立新%丁甲成%高靖訢%郭邐達%王永生
왕신위%의립신%정갑성%고정흔%곽리체%왕영생
超品格%光致发光%能量传递%浓度猝灭
超品格%光緻髮光%能量傳遞%濃度猝滅
초품격%광치발광%능량전체%농도졸멸
利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2 /Tb4 O7超品格样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜样品在488,544,588以及623 nm左右出现Tb3+的四个典型发光峰.结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明,CeO2薄膜在高温下失氧,发生Ce4+→Ce3+转变,Ce3+吸收紫外光后,Ce3+与Tb3+发生能量传递,产生发光.通过改变Tb4 O7薄膜厚度,研究了Tb4 O7层厚对超晶格发光的影响,结果显示在Tb4 O7层厚为0.5nm时,发光强度最大；Tb4 O7层厚大于0.5nm时,由于Tb3+间的能量传递,产生浓度猝灭.同时,对超晶格样品在900～1 200℃之间进行了不同温度、不同时间的退火,结果显示在1 200℃下进行2h的退火,薄膜发光强度达到最大.研究认为,Ce3+的浓度、氧空位缺陷以及Ce3+与Tb3+间距的变化是导致这一结果的主要原因.
利用電子束蒸髮技術在P型硅襯底上沉積瞭CeO2 /Tb4 O7超品格樣品,將樣品置于弱還原氣氛中高溫退火後,觀察到薄膜樣品在488,544,588以及623 nm左右齣現Tb3+的四箇典型髮光峰.結閤激髮光譜、吸收光譜以及XRD分析錶明,CeO2薄膜在高溫下失氧,髮生Ce4+→Ce3+轉變,Ce3+吸收紫外光後,Ce3+與Tb3+髮生能量傳遞,產生髮光.通過改變Tb4 O7薄膜厚度,研究瞭Tb4 O7層厚對超晶格髮光的影響,結果顯示在Tb4 O7層厚為0.5nm時,髮光彊度最大；Tb4 O7層厚大于0.5nm時,由于Tb3+間的能量傳遞,產生濃度猝滅.同時,對超晶格樣品在900～1 200℃之間進行瞭不同溫度、不同時間的退火,結果顯示在1 200℃下進行2h的退火,薄膜髮光彊度達到最大.研究認為,Ce3+的濃度、氧空位缺陷以及Ce3+與Tb3+間距的變化是導緻這一結果的主要原因.
이용전자속증발기술재P형규츤저상침적료CeO2 /Tb4 O7초품격양품,장양품치우약환원기분중고온퇴화후,관찰도박막양품재488,544,588이급623 nm좌우출현Tb3+적사개전형발광봉.결합격발광보、흡수광보이급XRD분석표명,CeO2박막재고온하실양,발생Ce4+→Ce3+전변,Ce3+흡수자외광후,Ce3+여Tb3+발생능량전체,산생발광.통과개변Tb4 O7박막후도,연구료Tb4 O7층후대초정격발광적영향,결과현시재Tb4 O7층후위0.5nm시,발광강도최대；Tb4 O7층후대우0.5nm시,유우Tb3+간적능량전체,산생농도졸멸.동시,대초정격양품재900～1 200℃지간진행료불동온도、불동시간적퇴화,결과현시재1 200℃하진행2h적퇴화,박막발광강도체도최대.연구인위,Ce3+적농도、양공위결함이급Ce3+여Tb3+간거적변화시도치저일결과적주요원인.
