红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2004年
4期
276-280
,共5页
王巍%兰中文%王豪才%姬海宁%秦跃利%高能武%孔祥栋
王巍%蘭中文%王豪纔%姬海寧%秦躍利%高能武%孔祥棟
왕외%란중문%왕호재%희해저%진약리%고능무%공상동
Ce∶YIG石榴石%磁光性能%磁性能%二氧化硅衬底
Ce∶YIG石榴石%磁光性能%磁性能%二氧化硅襯底
Ce∶YIG석류석%자광성능%자성능%이양화규츤저
对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究.用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片上淀积Ce1YIG薄膜,再对此薄膜进行晶化处理,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜.本文讨论了晶化过程中,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响.结果表明:采用波长为630nm的可见光测量,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0.8deg/μm.同时,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向,其居里温度点为220℃.所得Ge1YIG薄膜的参数表明:所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器.
對Ce1YIG磁光薄膜的製備過程及磁光性能進行瞭詳細的研究.用RF磁控濺射法在二氧化硅的基片上澱積Ce1YIG薄膜,再對此薄膜進行晶化處理,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜.本文討論瞭晶化過程中,Ce1YIG薄膜微觀結構的變化對其磁光性能的影響.結果錶明:採用波長為630nm的可見光測量,薄膜的飽和法拉第鏇轉繫數θF為0.8deg/μm.同時,晶化薄膜易磁化方嚮為平行于膜麵方嚮,其居裏溫度點為220℃.所得Ge1YIG薄膜的參數錶明:所製備的薄膜適宜于製備波導型磁光隔離器.
대Ce1YIG자광박막적제비과정급자광성능진행료상세적연구.용RF자공천사법재이양화규적기편상정적Ce1YIG박막,재대차박막진행정화처리,이득도구유자광성능적Ce1YIG박막.본문토론료정화과정중,Ce1YIG박막미관결구적변화대기자광성능적영향.결과표명:채용파장위630nm적가견광측량,박막적포화법랍제선전계수θF위0.8deg/μm.동시,정화박막역자화방향위평행우막면방향,기거리온도점위220℃.소득Ge1YIG박막적삼수표명:소제비적박막괄의우제비파도형자광격리기.
