半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
11期
2218-2222
,共5页
左玉华%蔡晓%毛容伟%王启明
左玉華%蔡曉%毛容偉%王啟明
좌옥화%채효%모용위%왕계명
平顶滤波器%热光调谐%Si基%窄带
平頂濾波器%熱光調諧%Si基%窄帶
평정려파기%열광조해%Si기%착대
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应,研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器.器件的平顶宽度为2nm,3dB带宽为4.4nm,自由谱宽约为8.5nm,在外加电场作用下,共振峰红移3.3nm.
利用Si基鍵閤技術、檯階型F-P腔結構以及Si良好的熱光效應,研製瞭一種新型全Si基的熱光調諧窄帶平頂濾波器.器件的平頂寬度為2nm,3dB帶寬為4.4nm,自由譜寬約為8.5nm,在外加電場作用下,共振峰紅移3.3nm.
이용Si기건합기술、태계형F-P강결구이급Si량호적열광효응,연제료일충신형전Si기적열광조해착대평정려파기.기건적평정관도위2nm,3dB대관위4.4nm,자유보관약위8.5nm,재외가전장작용하,공진봉홍이3.3nm.
