半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
6期
607-610,614
,共5页
射频标签%整流器%稳压源%限幅%ESD电路%静态工作电流
射頻標籤%整流器%穩壓源%限幅%ESD電路%靜態工作電流
사빈표첨%정류기%은압원%한폭%ESD전로%정태공작전류
分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分.采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采取了限幅、ESD电路,保障了电路的稳定性.采用标准CMOS工艺,设计出了低功耗、低电压工作的2.45 GHz射频模拟前端芯片电路,芯片在0.8～1.8 V电压内均可正常工作.芯片的静态工作电流为2μA,芯片工作时,平均工作电流约为65μA.
分析瞭RFID繫統的組成和基本原理,針對超高頻EPC C1G2協議,提齣半無源及有源電子標籤前耑結構及參攷電路,包括整流器、偏置單元、上電複位、解調、反嚮散射調製、振盪器等部分.採用多種方法,極大程度上實現瞭電路整體的低功耗,併且採取瞭限幅、ESD電路,保障瞭電路的穩定性.採用標準CMOS工藝,設計齣瞭低功耗、低電壓工作的2.45 GHz射頻模擬前耑芯片電路,芯片在0.8～1.8 V電壓內均可正常工作.芯片的靜態工作電流為2μA,芯片工作時,平均工作電流約為65μA.
분석료RFID계통적조성화기본원리,침대초고빈EPC C1G2협의,제출반무원급유원전자표첨전단결구급삼고전로,포괄정류기、편치단원、상전복위、해조、반향산사조제、진탕기등부분.채용다충방법,겁대정도상실현료전로정체적저공모,병차채취료한폭、ESD전로,보장료전로적은정성.채용표준CMOS공예,설계출료저공모、저전압공작적2.45 GHz사빈모의전단심편전로,심편재0.8～1.8 V전압내균가정상공작.심편적정태공작전류위2μA,심편공작시,평균공작전류약위65μA.
