物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2009年
8期
1671-1677
,共7页
汤儆%王文华%庄金亮%崔晨
湯儆%王文華%莊金亮%崔晨
탕경%왕문화%장금량%최신
阳极溶解%砷化镓%约束刻蚀剂层技术%刻蚀剂%捕捉剂
暘極溶解%砷化鎵%約束刻蝕劑層技術%刻蝕劑%捕捉劑
양겁용해%신화가%약속각식제층기술%각식제%포착제
应用约束刻蚀剂层技术(CELt对GaAs进行电化学微加工.研究了刻蚀溶液体系中各组成的浓度比例、GaAs类型、掺杂以及阳极腐蚀过程对GaAs刻蚀加工过程的影响.循环伏安实验表明.Br可以通过电化学反应生成Br2作为刻蚀剂,L-胱氨酸可作为有效的捕捉剂.CELT中刻蚀剂层被紧紧束缚于模板表面,模板和上件之间的距离小于刻蚀剂层的厚度时,刻蚀剂可以对GaAs进行加工.利用表面具有微凸半球阵列的导电模板,可以在不同类型GaAs上加工得到微孔阵列.实验结果表明:在相同刻蚀条件下,GaAs的加工分辨率与刻蚀体系中各组分的浓度比例有关,刻蚀结构的尺寸随着刻蚀剂与捕捉剂浓度比的增加而增大:在加上过程中,P-GaAs相对于,n-GaAs和无掺杂GaAs受到阳极氧化过程的影响较为显著,p-GaAs表面易生成氧化物层,影响电化学微加工过程.x射线光电子能谱(xes)和极化曲线实验也证明了这一点.
應用約束刻蝕劑層技術(CELt對GaAs進行電化學微加工.研究瞭刻蝕溶液體繫中各組成的濃度比例、GaAs類型、摻雜以及暘極腐蝕過程對GaAs刻蝕加工過程的影響.循環伏安實驗錶明.Br可以通過電化學反應生成Br2作為刻蝕劑,L-胱氨痠可作為有效的捕捉劑.CELT中刻蝕劑層被緊緊束縳于模闆錶麵,模闆和上件之間的距離小于刻蝕劑層的厚度時,刻蝕劑可以對GaAs進行加工.利用錶麵具有微凸半毬陣列的導電模闆,可以在不同類型GaAs上加工得到微孔陣列.實驗結果錶明:在相同刻蝕條件下,GaAs的加工分辨率與刻蝕體繫中各組分的濃度比例有關,刻蝕結構的呎吋隨著刻蝕劑與捕捉劑濃度比的增加而增大:在加上過程中,P-GaAs相對于,n-GaAs和無摻雜GaAs受到暘極氧化過程的影響較為顯著,p-GaAs錶麵易生成氧化物層,影響電化學微加工過程.x射線光電子能譜(xes)和極化麯線實驗也證明瞭這一點.
응용약속각식제층기술(CELt대GaAs진행전화학미가공.연구료각식용액체계중각조성적농도비례、GaAs류형、참잡이급양겁부식과정대GaAs각식가공과정적영향.순배복안실험표명.Br가이통과전화학반응생성Br2작위각식제,L-광안산가작위유효적포착제.CELT중각식제층피긴긴속박우모판표면,모판화상건지간적거리소우각식제층적후도시,각식제가이대GaAs진행가공.이용표면구유미철반구진렬적도전모판,가이재불동류형GaAs상가공득도미공진렬.실험결과표명:재상동각식조건하,GaAs적가공분변솔여각식체계중각조분적농도비례유관,각식결구적척촌수착각식제여포착제농도비적증가이증대:재가상과정중,P-GaAs상대우,n-GaAs화무참잡GaAs수도양겁양화과정적영향교위현저,p-GaAs표면역생성양화물층,영향전화학미가공과정.x사선광전자능보(xes)화겁화곡선실험야증명료저일점.
