现代显示
現代顯示
현대현시
ADVANCED DISPLAY
2009年
12期
22-24,28
,共4页
陈涛%林明通%张羿%刘红君%周团团%楼均辉%陈晨曦%肖田%李荣玉
陳濤%林明通%張羿%劉紅君%週糰糰%樓均輝%陳晨晞%肖田%李榮玉
진도%림명통%장예%류홍군%주단단%루균휘%진신희%초전%리영옥
电子束共蒸发%Al2O3-La2O3复合薄膜%ZrO2-Ta2O5复合薄膜%介电性能
電子束共蒸髮%Al2O3-La2O3複閤薄膜%ZrO2-Ta2O5複閤薄膜%介電性能
전자속공증발%Al2O3-La2O3복합박막%ZrO2-Ta2O5복합박막%개전성능
Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少.文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3(ALO)和ZrO2-Ta2O5(ZTO)复合薄膜,用Sawyer-Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0.013V和0.56V,击穿场强分别为128MV/m和175MV/m,在50MV/m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3.1×10-5A/cm2和4.1×10-5A/cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3.9×10-5A/cm2和3.7×10-5A/cm2.另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的.
Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在柵介質、無機EL介質和光學薄膜方麵有著重要用途,但對其複閤薄膜介電性能方麵的研究很少.文章採用電子束共蒸髮法製備瞭厚度分彆為414nm和143nm的Al2O3-La2O3(ALO)和ZrO2-Ta2O5(ZTO)複閤薄膜,用Sawyer-Tower電路測得介電常數分彆為17和34,反映介電損耗的參數△Vy分彆為0.013V和0.56V,擊穿場彊分彆為128MV/m和175MV/m,在50MV/m場彊下,ALO的正、反嚮漏電流密度分彆為3.1×10-5A/cm2和4.1×10-5A/cm2,ZTO的正、反嚮漏電流密度分彆為3.9×10-5A/cm2和3.7×10-5A/cm2.另外,實驗還與電子束蒸髮和反應濺射製備的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介電性能做瞭比較,結果錶明,上述複閤薄膜單獨作為無機EL絕緣層是不閤適的.
Al2O3、ZrO2、Ta2O5화La2O3박막재책개질、무궤EL개질화광학박막방면유착중요용도,단대기복합박막개전성능방면적연구흔소.문장채용전자속공증발법제비료후도분별위414nm화143nm적Al2O3-La2O3(ALO)화ZrO2-Ta2O5(ZTO)복합박막,용Sawyer-Tower전로측득개전상수분별위17화34,반영개전손모적삼수△Vy분별위0.013V화0.56V,격천장강분별위128MV/m화175MV/m,재50MV/m장강하,ALO적정、반향루전류밀도분별위3.1×10-5A/cm2화4.1×10-5A/cm2,ZTO적정、반향루전류밀도분별위3.9×10-5A/cm2화3.7×10-5A/cm2.령외,실험환여전자속증발화반응천사제비적Al2O3、ZrO2、Ta2O5적개전성능주료비교,결과표명,상술복합박막단독작위무궤EL절연층시불합괄적.
