压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2011年
4期
634-636,646
,共4页
王水力%朱俊%郝兰众%张鹰
王水力%硃俊%郝蘭衆%張鷹
왕수력%주준%학란음%장응
AlGaN/GaN%激光脉冲沉积法(PLD)%Al2O3%C-V模拟%二维电子气
AlGaN/GaN%激光脈遲沉積法(PLD)%Al2O3%C-V模擬%二維電子氣
AlGaN/GaN%격광맥충침적법(PLD)%Al2O3%C-V모의%이유전자기
采用激光脉冲沉积法(PLD)在AlGaN/GaN半导体异质结构衬底上沉积Al2O3栅介质层,并对该异质结构的电学性能进行研究.结果表明,Al2O3栅介质层改善了异质结构的界面质量,增强了器件结构的抗击穿电场强度.研究了沉积氧分压对异质结构性能的影响,电流-电压(I-V)测试结果表明,适当氧分压(0.1 Pa)有利于降低栅漏电流.Hall测量和电容-电压(C-V)模拟结果表明,不同的氧分压会改变Al2O3/AlGaN界面处的正电荷密度,从而改变半导体内的二维电子气(2DEG)密度.
採用激光脈遲沉積法(PLD)在AlGaN/GaN半導體異質結構襯底上沉積Al2O3柵介質層,併對該異質結構的電學性能進行研究.結果錶明,Al2O3柵介質層改善瞭異質結構的界麵質量,增彊瞭器件結構的抗擊穿電場彊度.研究瞭沉積氧分壓對異質結構性能的影響,電流-電壓(I-V)測試結果錶明,適噹氧分壓(0.1 Pa)有利于降低柵漏電流.Hall測量和電容-電壓(C-V)模擬結果錶明,不同的氧分壓會改變Al2O3/AlGaN界麵處的正電荷密度,從而改變半導體內的二維電子氣(2DEG)密度.
채용격광맥충침적법(PLD)재AlGaN/GaN반도체이질결구츤저상침적Al2O3책개질층,병대해이질결구적전학성능진행연구.결과표명,Al2O3책개질층개선료이질결구적계면질량,증강료기건결구적항격천전장강도.연구료침적양분압대이질결구성능적영향,전류-전압(I-V)측시결과표명,괄당양분압(0.1 Pa)유리우강저책루전류.Hall측량화전용-전압(C-V)모의결과표명,불동적양분압회개변Al2O3/AlGaN계면처적정전하밀도,종이개변반도체내적이유전자기(2DEG)밀도.
