非晶硅薄膜的快速热退火机理研究
비정규박막적쾌속열퇴화궤리연구
Study on the Mechanism of Amorphous Silicon Film Prepared by Rapid Thermal Annealing Process
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2006年 5期 1137-1140,1074 ,共5页

    陈永生%卢景霄%张宇翔%王生钊%杨仕娥%郜小勇%李秀瑞

    진영생%로경소%장우상%왕생쇠%양사아%고소용%리수서

    多晶硅薄膜%快速热退火%固相晶化 多晶硅薄膜%快速熱退火%固相晶化
    다정규박막%쾌속열퇴화%고상정화
    采用RTA方法对PECVD沉积的a-Si:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法.通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理.研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用.
    채용RTA방법대PECVD침적적a-Si:H박막진행고상정화시근년래발전기래적일충제비다정규박막적신방법.통과연구불동퇴화공예조건대박막결구적영향,래게시쾌속열퇴화궤리.연구표명단파장광(≤730nm)적양자효응재정화과정중가능기착지관중요적작용.
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