CAJ | 학술논문

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器由于其所依据的GaAs基材料较为成熟的材料生长和器件制备工艺,使其特别适合于高均匀性、大面积红外焦平面的应用.报道了甚长波256×1元GaAs/A1GaAs多量子阱红外焦平面器件的研制成果,探测器的峰值波长为15 μm,响应带宽大于1.5 μm.在40 K工作温度下,器件的平均黑体响应率Rp=3.96×106 V/W,平均黑体探测率为D*b=1.37×109 cm·Hz1/2/W,不均匀性为11.3%,并应用研制的器件获得了物体的热像图.
GaAs/AlGaAs양자정홍외탐측기유우기소의거적GaAs기재료교위성숙적재료생장화기건제비공예,사기특별괄합우고균균성、대면적홍외초평면적응용.보도료심장파256×1원GaAs/A1GaAs다양자정홍외초평면기건적연제성과,탐측기적봉치파장위15 μm,향응대관대우1.5 μm.재40 K공작온도하,기건적평균흑체향응솔Rp=3.96×106 V/W,평균흑체탐측솔위D*b=1.37×109 cm·Hz1/2/W,불균균성위11.3%,병응용연제적기건획득료물체적열상도.