微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用
미정규재료고속생장급기재태양능전지중적응용
High Rate-Deposition of Microcrystalline Silicon Films and Solar Cell
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2006年 9期 697-701 ,共5页

    孙建%俞远高%王锐%侯国付%薛俊明%赵颖%耿新华%李乙钢

    손건%유원고%왕예%후국부%설준명%조영%경신화%리을강

    高速生长%微晶硅电池%高压耗尽 高速生長%微晶硅電池%高壓耗儘
    고속생장%미정규전지%고압모진
    高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势.采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32 nm/s,晶化率达58.2%.把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层,在没有优化工艺参数和没有采用ZnO增反电极时,电池的转换效率达到4.8%.
    고기압모진RF-PECVD재고속생장우질미정규재료화태양능전지방면구유거대적우세.채용저충침적방법,본정미정규재료적생장속도제고도0.32 nm/s,정화솔체58.2%.파저충고속생장적미정규재료용작태양전지적본정흡수층,재몰유우화공예삼수화몰유채용ZnO증반전겁시,전지적전환효솔체도4.8%.
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