发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
1期
161-165
,共5页
韦德远%陈德媛%韩培高%马忠元%徐骏%陈坤基
韋德遠%陳德媛%韓培高%馬忠元%徐駿%陳坤基
위덕원%진덕원%한배고%마충원%서준%진곤기
纳米硅%结构%光致发光(PL)%电致发光(EL)
納米硅%結構%光緻髮光(PL)%電緻髮光(EL)
납미규%결구%광치발광(PL)%전치발광(EL)
采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si/SiO2多层膜,然后利用限制性晶化原理使非晶硅层晶化生成纳米硅.利用Raman、TEM等手段对薄膜结构进行了系统表征,在室温下观测到了光致发光信号,其发光峰峰位在750 nm附近.进而在样品贩上下表面蒸镀电极,构建了电致发光原型器件并观测到了室温下的电致发光谱,开启电压约为6 V,有两个明显的发光带,分别位于在650 nm和520 nm处.初步探讨了纳米硅及纳米硅/二氧化硅界面态对发光特性的影响.
採用等離子體化學氣相沉積繫統生長非晶硅薄膜併用原位等離子體氧化的方法製備齣具有不同子層厚度的非晶Si/SiO2多層膜,然後利用限製性晶化原理使非晶硅層晶化生成納米硅.利用Raman、TEM等手段對薄膜結構進行瞭繫統錶徵,在室溫下觀測到瞭光緻髮光信號,其髮光峰峰位在750 nm附近.進而在樣品販上下錶麵蒸鍍電極,構建瞭電緻髮光原型器件併觀測到瞭室溫下的電緻髮光譜,開啟電壓約為6 V,有兩箇明顯的髮光帶,分彆位于在650 nm和520 nm處.初步探討瞭納米硅及納米硅/二氧化硅界麵態對髮光特性的影響.
채용등리자체화학기상침적계통생장비정규박막병용원위등리자체양화적방법제비출구유불동자층후도적비정Si/SiO2다층막,연후이용한제성정화원리사비정규층정화생성납미규.이용Raman、TEM등수단대박막결구진행료계통표정,재실온하관측도료광치발광신호,기발광봉봉위재750 nm부근.진이재양품판상하표면증도전겁,구건료전치발광원형기건병관측도료실온하적전치발광보,개계전압약위6 V,유량개명현적발광대,분별위우재650 nm화520 nm처.초보탐토료납미규급납미규/이양화규계면태대발광특성적영향.
