微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2012年
6期
413-416
,共4页
李悦%田大宇%李静%刘鹏%戴晓涛
李悅%田大宇%李靜%劉鵬%戴曉濤
리열%전대우%리정%류붕%대효도
ICP刻蚀系统%刻蚀速率%选择比%刻蚀形貌%电子束光刻%纳米尺度多晶硅线条
ICP刻蝕繫統%刻蝕速率%選擇比%刻蝕形貌%電子束光刻%納米呎度多晶硅線條
ICP각식계통%각식속솔%선택비%각식형모%전자속광각%납미척도다정규선조
以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验.借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳米尺度多晶硅密排线结构的优化刻蚀工艺技术.实验结果表明:当采用900 W的离子源功率、11W的偏压功率、25 cm3/min流量的HBr气体和3 mTorr(1 mTorr=0.133 3 Pa)刻蚀压力的工艺条件时,多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比大于100∶1；在保持离子源功率、偏压功率、气体流量不变的条件下,单纯提高反应腔工艺压力则会大幅提高上述选择比值,同时损失多晶硅和二氧化硅的刻蚀均匀性；HBr气体流量的变化在上述功率及反应腔工艺压力的工艺范围内,对多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比和多晶硅刻蚀的形貌特征均无显著影响.采用上述优化的刻蚀工艺条件,配合纳来电子束光刻技术成功得到多晶硅纳米尺度微结构,其最小线宽为40 nm.
以HBr作為刻蝕氣體,採用ICP金屬刻蝕繫統對氣體流量、刻蝕壓力、離子源功率、偏壓功率等工藝參數與刻蝕速率、刻蝕選擇比和側壁垂直度的對應關繫進行瞭大量工藝實驗.藉助理論分析和工藝條件的優化,開髮齣一套可滿足製備側壁垂直度的納米呎度多晶硅密排線結構的優化刻蝕工藝技術.實驗結果錶明:噹採用900 W的離子源功率、11W的偏壓功率、25 cm3/min流量的HBr氣體和3 mTorr(1 mTorr=0.133 3 Pa)刻蝕壓力的工藝條件時,多晶硅與二氧化硅的刻蝕選擇比大于100∶1；在保持離子源功率、偏壓功率、氣體流量不變的條件下,單純提高反應腔工藝壓力則會大幅提高上述選擇比值,同時損失多晶硅和二氧化硅的刻蝕均勻性；HBr氣體流量的變化在上述功率及反應腔工藝壓力的工藝範圍內,對多晶硅與二氧化硅的刻蝕選擇比和多晶硅刻蝕的形貌特徵均無顯著影響.採用上述優化的刻蝕工藝條件,配閤納來電子束光刻技術成功得到多晶硅納米呎度微結構,其最小線寬為40 nm.
이HBr작위각식기체,채용ICP금속각식계통대기체류량、각식압력、리자원공솔、편압공솔등공예삼수여각식속솔、각식선택비화측벽수직도적대응관계진행료대량공예실험.차조이론분석화공예조건적우화,개발출일투가만족제비측벽수직도적납미척도다정규밀배선결구적우화각식공예기술.실험결과표명:당채용900 W적리자원공솔、11W적편압공솔、25 cm3/min류량적HBr기체화3 mTorr(1 mTorr=0.133 3 Pa)각식압력적공예조건시,다정규여이양화규적각식선택비대우100∶1；재보지리자원공솔、편압공솔、기체류량불변적조건하,단순제고반응강공예압력칙회대폭제고상술선택비치,동시손실다정규화이양화규적각식균균성；HBr기체류량적변화재상술공솔급반응강공예압력적공예범위내,대다정규여이양화규적각식선택비화다정규각식적형모특정균무현저영향.채용상술우화적각식공예조건,배합납래전자속광각기술성공득도다정규납미척도미결구,기최소선관위40 nm.
