中南大学学报（自然科学版）
中南大學學報（自然科學版）
중남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY
2005年
4期
560-565
,共6页
离子注入%Si1-xGex/Si异质结%退火行为%X射线衍射
離子註入%Si1-xGex/Si異質結%退火行為%X射線衍射
리자주입%Si1-xGex/Si이질결%퇴화행위%X사선연사
在注入能量为100keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700～1 050℃,退火时间为5～30 min.对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1 000℃、退火时间为30 min为最佳退火条件.在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生长,90%的注入Ge+位于替代位置,若同时考虑应变弛豫,则位于替代位置的Ge+达到理论最大值的82%,共格因子为0.438.由于高剂量Ge+注入引起表面晶格损伤严重以及应变弛豫释放的位错和缺陷,因此,表面结晶质量不太理想.
在註入能量為100keV時,將註入劑量為5.3×1016/cm2的Ge+註入(001)SIMOX硅膜中製備Si1-xGex/Si異質結;然後,對樣品進行碘鎢燈快速熱退火,退火溫度為700～1 050℃,退火時間為5～30 min.對樣品的(004)和(113)麵X射線衍射數據進行計算和分析,得齣退火溫度為1 000℃、退火時間為30 min為最佳退火條件.在此退火條件下,假設固相外延生長為贗晶生長,90%的註入Ge+位于替代位置,若同時攷慮應變弛豫,則位于替代位置的Ge+達到理論最大值的82%,共格因子為0.438.由于高劑量Ge+註入引起錶麵晶格損傷嚴重以及應變弛豫釋放的位錯和缺陷,因此,錶麵結晶質量不太理想.
재주입능량위100keV시,장주입제량위5.3×1016/cm2적Ge+주입(001)SIMOX규막중제비Si1-xGex/Si이질결;연후,대양품진행전오등쾌속열퇴화,퇴화온도위700～1 050℃,퇴화시간위5～30 min.대양품적(004)화(113)면X사선연사수거진행계산화분석,득출퇴화온도위1 000℃、퇴화시간위30 min위최가퇴화조건.재차퇴화조건하,가설고상외연생장위안정생장,90%적주입Ge+위우체대위치,약동시고필응변이예,칙위우체대위치적Ge+체도이론최대치적82%,공격인자위0.438.유우고제량Ge+주입인기표면정격손상엄중이급응변이예석방적위착화결함,인차,표면결정질량불태이상.
