SiGe HBT高频噪声特性研究
SiGe HBT고빈조성특성연구
High Frequency Noise Characteristics of SiGe HBTs
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2007年 5期 394-396,405 ,共4页

    高攀%张万荣%谢红云%邱建军%沙永萍%金冬月%张静%张正元%刘道广%王健安%徐学良%陈光炳

    고반%장만영%사홍운%구건군%사영평%금동월%장정%장정원%류도엄%왕건안%서학량%진광병

    硅锗%异质结双极型晶体管%高频噪声 硅鍺%異質結雙極型晶體管%高頻譟聲
    규타%이질결쌍겁형정체관%고빈조성
    对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟.频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响.当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先减小后增大.结果表明,噪声最小时的最佳偏置电流所对应的特征频率fT并不是最大特征频率,约为最大特征频率的50%.
    대SiGe HBT적고빈조성진행료모의.빈솔f、재류자정향연지시간τF、집전겁전류등인소도대고빈조성유영향.당빈솔고우고빈전각빈솔시,최소조성계수NFmin수착빈솔적증대이선성증대,이불시여f2성정비관계,차NFmin수착집전겁전류적증대선감소후증대.결과표명,조성최소시적최가편치전류소대응적특정빈솔fT병불시최대특정빈솔,약위최대특정빈솔적50%.
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