传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2008年
4期
660-663
,共4页
侯智昊%刘泽文%胡光伟%刘理天%李志坚
侯智昊%劉澤文%鬍光偉%劉理天%李誌堅
후지호%류택문%호광위%류리천%리지견
射频%微电子机械系统%串联电容式RF MEMS开关%串联电容式%内应力
射頻%微電子機械繫統%串聯電容式RF MEMS開關%串聯電容式%內應力
사빈%미전자궤계계통%천련전용식RF MEMS개관%천련전용식%내응력
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造.所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1 GHz以下才能获得较高隔离度的缺点.其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10 GHz)的问题.其插入损耗为-0.88 dB@3 GHz,在6 GHz以上,插入损耗为-0.5 dB;隔离度为-33.5 dB@900 MHz、-24 dB@3 GH和-20 dB@5 GHz,适合于3～5 GHz频段的应用.
介紹瞭一種串聯電容式RF MEMS開關的設計與製造.所設計的串聯電容式RF MEMS開關利用薄膜澱積中產生的內應力使MEMS橋膜嚮上髮生翹麯,從而提高所設計的開關的隔離度,剋服瞭串聯電容式RF MEMS開關通常隻有在1 GHz以下纔能穫得較高隔離度的缺點.其工藝與併聯電容式RF MEMS開關完全相同,解決瞭併聯電容式RF MEMS開關不能應用于低頻段(<10 GHz)的問題.其插入損耗為-0.88 dB@3 GHz,在6 GHz以上,插入損耗為-0.5 dB;隔離度為-33.5 dB@900 MHz、-24 dB@3 GH和-20 dB@5 GHz,適閤于3～5 GHz頻段的應用.
개소료일충천련전용식RF MEMS개관적설계여제조.소설계적천련전용식RF MEMS개관이용박막정적중산생적내응력사MEMS교막향상발생교곡,종이제고소설계적개관적격리도,극복료천련전용식RF MEMS개관통상지유재1 GHz이하재능획득교고격리도적결점.기공예여병련전용식RF MEMS개관완전상동,해결료병련전용식RF MEMS개관불능응용우저빈단(<10 GHz)적문제.기삽입손모위-0.88 dB@3 GHz,재6 GHz이상,삽입손모위-0.5 dB;격리도위-33.5 dB@900 MHz、-24 dB@3 GH화-20 dB@5 GHz,괄합우3～5 GHz빈단적응용.
