半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
4期
311-314
,共4页
周晓龙%杨克武%杨瑞霞%孙同年%孙聂枫
週曉龍%楊剋武%楊瑞霞%孫同年%孫聶楓
주효룡%양극무%양서하%손동년%손섭풍
关键词%磷化铟%直径%孪晶%热场%液封直拉%坩埚%单晶
關鍵詞%燐化銦%直徑%孿晶%熱場%液封直拉%坩堝%單晶
관건사%린화인%직경%련정%열장%액봉직랍%감과%단정
生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点.通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的热场系统和生长条件,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计并制造的高压单晶炉内首先将In和P进行合成,然后采用后加热器加热、坩埚随动等技术重复生长了直径为100～142 mm的大直径InP单晶.讨论了关于避免孪晶产生的关键技术,所提到的条件都得到优化后,单晶率就会大幅上升.
生長高質量、大直徑的單晶是噹前InP晶體生長的髮展方嚮,減少孿晶的產生一直是InP單晶生長技術的研究重點.通過對高壓液封直拉法InP單晶生長過程中的幾箇重要因素包括加熱器和保溫繫統、摻雜劑、坩堝和生長參數等的分析,設計瞭閤適的熱場繫統和生長條件,有效地降低瞭孿晶產生的幾率.在自己設計併製造的高壓單晶爐內首先將In和P進行閤成,然後採用後加熱器加熱、坩堝隨動等技術重複生長瞭直徑為100～142 mm的大直徑InP單晶.討論瞭關于避免孿晶產生的關鍵技術,所提到的條件都得到優化後,單晶率就會大幅上升.
생장고질량、대직경적단정시당전InP정체생장적발전방향,감소련정적산생일직시InP단정생장기술적연구중점.통과대고압액봉직랍법InP단정생장과정중적궤개중요인소포괄가열기화보온계통、참잡제、감과화생장삼수등적분석,설계료합괄적열장계통화생장조건,유효지강저료련정산생적궤솔.재자기설계병제조적고압단정로내수선장In화P진행합성,연후채용후가열기가열、감과수동등기술중복생장료직경위100～142 mm적대직경InP단정.토론료관우피면련정산생적관건기술,소제도적조건도득도우화후,단정솔취회대폭상승.
