江苏工业学院学报
江囌工業學院學報
강소공업학원학보
JOURNAL OF JIANGSU POLYTECHNIC UNIVERSITY
2009年
4期
24-28
,共5页
赵蒙%李金华%郑巍峰%付学成
趙矇%李金華%鄭巍峰%付學成
조몽%리금화%정외봉%부학성
二氧化钒薄膜%掺杂%相变%电阻温度系数%溶胶-凝胶法
二氧化釩薄膜%摻雜%相變%電阻溫度繫數%溶膠-凝膠法
이양화범박막%참잡%상변%전조온도계수%용효-응효법
以氧化二乙酰丙酮合钒(C10H14O5V)为前驱体.乙醇钽[Ta(OC2H55]为掺杂剂,用溶胶-凝胶方法在Si(100)和SiO2/Si衬底上制备了V1-x,TaxO2(x=0-0.1)多晶薄膜.XRD谱图显示薄膜呈(011)面取向生长.随着Ta掺杂量的增大,d (011)基本呈线性增大表明Ta替代了V在晶格巾的位置,实现了替位掺杂.每掺杂1%原子比的Ta,相变温度降低7.8℃,相变热滞减小1℃.SiO2/Si衬底上5%原子比掺杂薄膜的相变温度为29.5℃,室温(300K)电阻-温度系数(TCR)为-8.44%/K.两种衬底上掺杂V0.9Ta0.1O2薄膜的升温和降温电阻-温度曲线基本重合.实验结果显示,Ta是降低VOz薄膜的相变温度和消除相变热滞的有效掺杂剂.
以氧化二乙酰丙酮閤釩(C10H14O5V)為前驅體.乙醇鐽[Ta(OC2H55]為摻雜劑,用溶膠-凝膠方法在Si(100)和SiO2/Si襯底上製備瞭V1-x,TaxO2(x=0-0.1)多晶薄膜.XRD譜圖顯示薄膜呈(011)麵取嚮生長.隨著Ta摻雜量的增大,d (011)基本呈線性增大錶明Ta替代瞭V在晶格巾的位置,實現瞭替位摻雜.每摻雜1%原子比的Ta,相變溫度降低7.8℃,相變熱滯減小1℃.SiO2/Si襯底上5%原子比摻雜薄膜的相變溫度為29.5℃,室溫(300K)電阻-溫度繫數(TCR)為-8.44%/K.兩種襯底上摻雜V0.9Ta0.1O2薄膜的升溫和降溫電阻-溫度麯線基本重閤.實驗結果顯示,Ta是降低VOz薄膜的相變溫度和消除相變熱滯的有效摻雜劑.
이양화이을선병동합범(C10H14O5V)위전구체.을순단[Ta(OC2H55]위참잡제,용용효-응효방법재Si(100)화SiO2/Si츤저상제비료V1-x,TaxO2(x=0-0.1)다정박막.XRD보도현시박막정(011)면취향생장.수착Ta참잡량적증대,d (011)기본정선성증대표명Ta체대료V재정격건적위치,실현료체위참잡.매참잡1%원자비적Ta,상변온도강저7.8℃,상변열체감소1℃.SiO2/Si츤저상5%원자비참잡박막적상변온도위29.5℃,실온(300K)전조-온도계수(TCR)위-8.44%/K.량충츤저상참잡V0.9Ta0.1O2박막적승온화강온전조-온도곡선기본중합.실험결과현시,Ta시강저VOz박막적상변온도화소제상변열체적유효참잡제.
