人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
1期
177-182
,共6页
赵志明%丁宇%田亚萍%张晓静%马二云%白力静%蒋百灵
趙誌明%丁宇%田亞萍%張曉靜%馬二雲%白力靜%蔣百靈
조지명%정우%전아평%장효정%마이운%백력정%장백령
直流反应磁控溅射%AZO薄膜%Al2 O3纳米颗粒
直流反應磁控濺射%AZO薄膜%Al2 O3納米顆粒
직류반응자공천사%AZO박막%Al2 O3납미과립
在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶ Al (AZO)薄膜.采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构.结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn( AZO)双层复合膜结构；氧气流量为3.5 sccm时,沉积形成了透明导电的AZO薄膜；氧气流量为5.0 sccm时,形成了透明不导电且含有纳米Al2O3颗粒的AZO薄膜；此外,AZO薄膜在400℃退火后,薄膜晶粒长大和(002)晶面方向择优生长更加明显以及高氧气流量沉积的AZO薄膜中的纳米Al2O3颗粒消失.
在室溫下,利用直流反應磁控濺射技術在不同的氧氣流量下沉積ZnO∶ Al (AZO)薄膜.採用XRD、SEM和TEM技術分析薄膜相成分、錶麵截麵形貌及微觀結構.結果錶明:氧氣流量為2.5 sccm時,沉積形成的薄膜為不透明具有金屬導電性能的AZO/Zn( AZO)雙層複閤膜結構；氧氣流量為3.5 sccm時,沉積形成瞭透明導電的AZO薄膜；氧氣流量為5.0 sccm時,形成瞭透明不導電且含有納米Al2O3顆粒的AZO薄膜；此外,AZO薄膜在400℃退火後,薄膜晶粒長大和(002)晶麵方嚮擇優生長更加明顯以及高氧氣流量沉積的AZO薄膜中的納米Al2O3顆粒消失.
재실온하,이용직류반응자공천사기술재불동적양기류량하침적ZnO∶ Al (AZO)박막.채용XRD、SEM화TEM기술분석박막상성분、표면절면형모급미관결구.결과표명:양기류량위2.5 sccm시,침적형성적박막위불투명구유금속도전성능적AZO/Zn( AZO)쌍층복합막결구；양기류량위3.5 sccm시,침적형성료투명도전적AZO박막；양기류량위5.0 sccm시,형성료투명불도전차함유납미Al2O3과립적AZO박막；차외,AZO박막재400℃퇴화후,박막정립장대화(002)정면방향택우생장경가명현이급고양기류량침적적AZO박막중적납미Al2O3과립소실.
