低温与超导
低溫與超導
저온여초도
CRYOGENICS AND SUPERCONDUCTIVITY
2009年
2期
32-35
,共4页
张静%许伟伟%昌路%吉争鸣%陆殷华%陈健%吴培亨
張靜%許偉偉%昌路%吉爭鳴%陸慇華%陳健%吳培亨
장정%허위위%창로%길쟁명%륙은화%진건%오배형
电子束蒸发%Al薄膜%铝超导隧道结
電子束蒸髮%Al薄膜%鋁超導隧道結
전자속증발%Al박막%려초도수도결
采用电子束蒸发的方法在Si片上制备超导铝(Al)薄膜.利用X射线衍射和直流四电极电阻法分别测试了厚度从100埃到5000埃的Al薄膜物向组成,超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc).当Al薄膜厚度大于500埃时,超导转变温度Tc=1.2K.电子束蒸发制备的Al薄膜性能良好,具有较高的结晶质量,为制备Al超导隧道结奠定了良好基础.对小面积的Al 超导隧道结工艺进行了研究,该超导隧道结两层的超导体材料为Al薄膜,中间势垒层材料为Al2O3.其中Al薄膜利用电子束蒸发制备,势垒层通过直接氧化Al薄膜表面实现,该工艺和采用直接蒸发氧化物薄膜工艺相比不仅简单而且能有效防止势垒层不连续造成的弱连接.
採用電子束蒸髮的方法在Si片上製備超導鋁(Al)薄膜.利用X射線衍射和直流四電極電阻法分彆測試瞭厚度從100埃到5000埃的Al薄膜物嚮組成,超導轉變溫度(Tc)和臨界電流密度(Jc).噹Al薄膜厚度大于500埃時,超導轉變溫度Tc=1.2K.電子束蒸髮製備的Al薄膜性能良好,具有較高的結晶質量,為製備Al超導隧道結奠定瞭良好基礎.對小麵積的Al 超導隧道結工藝進行瞭研究,該超導隧道結兩層的超導體材料為Al薄膜,中間勢壘層材料為Al2O3.其中Al薄膜利用電子束蒸髮製備,勢壘層通過直接氧化Al薄膜錶麵實現,該工藝和採用直接蒸髮氧化物薄膜工藝相比不僅簡單而且能有效防止勢壘層不連續造成的弱連接.
채용전자속증발적방법재Si편상제비초도려(Al)박막.이용X사선연사화직류사전겁전조법분별측시료후도종100애도5000애적Al박막물향조성,초도전변온도(Tc)화림계전류밀도(Jc).당Al박막후도대우500애시,초도전변온도Tc=1.2K.전자속증발제비적Al박막성능량호,구유교고적결정질량,위제비Al초도수도결전정료량호기출.대소면적적Al 초도수도결공예진행료연구,해초도수도결량층적초도체재료위Al박막,중간세루층재료위Al2O3.기중Al박막이용전자속증발제비,세루층통과직접양화Al박막표면실현,해공예화채용직접증발양화물박막공예상비불부간단이차능유효방지세루층불련속조성적약련접.
