固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
1期
20-23
,共4页
陈刚%王雯%柏松%李哲洋%吴鹏%李宇柱%倪炜江
陳剛%王雯%柏鬆%李哲洋%吳鵬%李宇柱%倪煒江
진강%왕문%백송%리철양%오붕%리우주%예위강
宽禁带半导体%碳化硅%静电感应晶体管%离子注入
寬禁帶半導體%碳化硅%靜電感應晶體管%離子註入
관금대반도체%탄화규%정전감응정체관%리자주입
采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管).该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO:和SizNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升.最终28 cm栅宽SiC SIT器件,在UHF波段的500 MHz、90 V工作电压下,脉冲饱和输出功率达到了550 W,此时功率增益为11.3 dB.
採用導通SiC襯底上的SiC多層外延材料,成功製作齣瞭國內首箇SiC SIT(靜電感應晶體管).該器件研製中,採用瞭自對準工藝、高能離子註入及高溫退火工藝、密集柵深凹槽榦法刻蝕工藝、PECVD SiO:和SizNy介質鈍化工藝,有效抑製瞭漏電併提高瞭器件擊穿電壓,器件功率輸齣能力由此得到提升.最終28 cm柵寬SiC SIT器件,在UHF波段的500 MHz、90 V工作電壓下,脈遲飽和輸齣功率達到瞭550 W,此時功率增益為11.3 dB.
채용도통SiC츤저상적SiC다층외연재료,성공제작출료국내수개SiC SIT(정전감응정체관).해기건연제중,채용료자대준공예、고능리자주입급고온퇴화공예、밀집책심요조간법각식공예、PECVD SiO:화SizNy개질둔화공예,유효억제료루전병제고료기건격천전압,기건공솔수출능력유차득도제승.최종28 cm책관SiC SIT기건,재UHF파단적500 MHz、90 V공작전압하,맥충포화수출공솔체도료550 W,차시공솔증익위11.3 dB.
