科技风
科技風
과기풍
TECHNOLOGY WIND
2011年
17期
83-83
,共1页
单晶硅%太阳电池%PECVD%氮化硅%折射率
單晶硅%太暘電池%PECVD%氮化硅%摺射率
단정규%태양전지%PECVD%담화규%절사솔
用等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,通过改变[SiH4]/[NH3：H2]的流量比沉积氮化硅薄膜。用椭偏仪测量氮化硅薄膜的厚度、折射率。研究了N型单晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的电性能。
用等離子增彊化學氣相沉積（PECVD）法,通過改變[SiH4]/[NH3：H2]的流量比沉積氮化硅薄膜。用橢偏儀測量氮化硅薄膜的厚度、摺射率。研究瞭N型單晶硅太暘電池沉積氮化硅薄膜的電性能。
용등리자증강화학기상침적（PECVD）법,통과개변[SiH4]/[NH3：H2]적류량비침적담화규박막。용타편의측량담화규박막적후도、절사솔。연구료N형단정규태양전지침적담화규박막적전성능。
