光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2002年
9期
1137-1140
,共4页
顾四朋%侯立松%刘波%陈静
顧四朋%侯立鬆%劉波%陳靜
고사붕%후립송%류파%진정
Ge-Sb-Te薄膜%氧掺杂%光学性质%光存储
Ge-Sb-Te薄膜%氧摻雜%光學性質%光存儲
Ge-Sb-Te박막%양참잡%광학성질%광존저
研究了氧掺入Ge-Sb-Te射频溅射相变薄膜在400 nm～800 nm区域的光学常数(n,κ)和反射、透射光谱,发现适当的氧掺入能大大增加退火前后反射率对比度,因此可通过氧掺入改良Ge-Sb-Te相变材料的光存储性能.
研究瞭氧摻入Ge-Sb-Te射頻濺射相變薄膜在400 nm～800 nm區域的光學常數(n,κ)和反射、透射光譜,髮現適噹的氧摻入能大大增加退火前後反射率對比度,因此可通過氧摻入改良Ge-Sb-Te相變材料的光存儲性能.
연구료양참입Ge-Sb-Te사빈천사상변박막재400 nm～800 nm구역적광학상수(n,κ)화반사、투사광보,발현괄당적양참입능대대증가퇴화전후반사솔대비도,인차가통과양참입개량Ge-Sb-Te상변재료적광존저성능.
