基于AlAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器
기우AlAs양화법연제적수직강면발사격광기
InGaAs/GaAs VCSEL Fabricated by Selective Oxidation
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2004年 2期 98-100,114 ,共4页

    赵路民%晏长岭%孙艳芳%金珍花%王青%秦莉%刘云%宁永强%王立军

    조로민%안장령%손염방%금진화%왕청%진리%류운%저영강%왕립군

    垂直腔面发射激光器%选择性氧化%分子束外延 垂直腔麵髮射激光器%選擇性氧化%分子束外延
    수직강면발사격광기%선택성양화%분자속외연
    结合垂直腔面发射激光器的制备,研究了AlAs选择性氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs层的横向氧化速率之间的关系,并得到了可精确控制氧化过程的工艺条件,在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器,实现了器件的室温脉冲激射.
    결합수직강면발사격광기적제비,연구료AlAs선택성양화공예중양화로온、담기류량、수온등조건화AlAs층적횡향양화속솔지간적관계,병득도료가정학공제양화과정적공예조건,재우화적공예조건하운용습담양화제비출InGaAs/GaAs수직강면발사격광기,실현료기건적실온맥충격사.
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