CAJ | 학술논문

报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜.ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α-Al2O3(0001)衬底上,N来自NH3与O2的生长气氛,Al来自ZnxAl1-x(x=0.9)靶材.利用XRD,AFM,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究.结果表明,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向,450℃、600℃分别实现了p型转变,电阻率为102～103Ω*cm,载流子浓度为1015～1016cm-3,迁移率为0.5～1.32cm2/(V*s).薄膜中Al原子促进了N原子的掺入.实验还表明,p-ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率(约为90%),室温下光学带宽为3.28eV.而在450℃生长的p-ZnO具有较小的晶粒度和表面粗糙度.
보도료이용직류반응자공천사이Al,N공참잡기술생장p형ZnO박막.ZnO박막재불동츤저온도하침적우α-Al2O3(0001)츤저상,N래자NH3여O2적생장기분,Al래자ZnxAl1-x(x=0.9)파재.이용XRD,AFM,Hall,SIMS화투사광보대기성능진행료연구.결과표명,ZnO박막구유고도c축택우취향,450℃、600℃분별실현료p형전변,전조솔위102～103Ω*cm,재류자농도위1015～1016cm-3,천이솔위0.5～1.32cm2/(V*s).박막중Al원자촉진료N원자적참입.실험환표명,p-ZnO박막재가견광구역구유흔고적투사솔(약위90%),실온하광학대관위3.28eV.이재450℃생장적p-ZnO구유교소적정립도화표면조조도.