CAJ | 학술논문

半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节，传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法，对低k薄膜进行光学表征，得到薄膜的折射率n、消光系数k和膜厚d，并将结果与椭偏仪的测量进行比较，证明了使用F-B方程在半导体工艺中精确表征低k材料的能力和这种方法快速无损的优点。
반도체공예중대저k개질재료적정학표정시공예감공적중요배절，전통방법여소묘전자현미경화투사전자현미경존재모시장화파배성등결점。사용일충결합료Forouhi-Bloomer리산방정조화관광보분광광도법적신방법，대저k박막진행광학표정，득도박막적절사솔n、소광계수k화막후d，병장결과여타편의적측량진행비교，증명료사용F-B방정재반도체공예중정학표정저k재료적능력화저충방법쾌속무손적우점。