电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
4期
1226-1229
,共4页
电荷泵%锁相环%相位偏差%转换速度
電荷泵%鎖相環%相位偏差%轉換速度
전하빙%쇄상배%상위편차%전환속도
针对消除传统电荷泵电路存在的MOS开关的电荷注入效应,时钟馈通效应,电荷泄露和充放电电流失配等产生的锁相环的相位偏差问题,设计了两种新型的电荷泵电路.这两种电路的设计和仿真采用了0.6 μm CMOS工艺,电源电压为5 V,功耗分别为0.65 mW和0.7 mW.仿真结果表明,两种新型电荷泵电路的转换速度得到了提高,输出电压近似于电源电压到地的全摆幅并具有稳定的充放电步长,可用于高速锁相环电路.
針對消除傳統電荷泵電路存在的MOS開關的電荷註入效應,時鐘饋通效應,電荷洩露和充放電電流失配等產生的鎖相環的相位偏差問題,設計瞭兩種新型的電荷泵電路.這兩種電路的設計和倣真採用瞭0.6 μm CMOS工藝,電源電壓為5 V,功耗分彆為0.65 mW和0.7 mW.倣真結果錶明,兩種新型電荷泵電路的轉換速度得到瞭提高,輸齣電壓近似于電源電壓到地的全襬幅併具有穩定的充放電步長,可用于高速鎖相環電路.
침대소제전통전하빙전로존재적MOS개관적전하주입효응,시종궤통효응,전하설로화충방전전류실배등산생적쇄상배적상위편차문제,설계료량충신형적전하빙전로.저량충전로적설계화방진채용료0.6 μm CMOS공예,전원전압위5 V,공모분별위0.65 mW화0.7 mW.방진결과표명,량충신형전하빙전로적전환속도득도료제고,수출전압근사우전원전압도지적전파폭병구유은정적충방전보장,가용우고속쇄상배전로.
