半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
8期
701-704
,共4页
ZnO薄膜%光致发光%间隙锌%Ni掺杂
ZnO薄膜%光緻髮光%間隙鋅%Ni摻雜
ZnO박막%광치발광%간극자%Ni참잡
采用直流磁控溅射法制备了ZnO/(Ni)薄膜.研究了氧分压及Ni掺杂对ZnO薄膜的结构、光致发光特性及薄膜中的几种本征缺陷如氧空位(VO)、锌空位(VZn)、氧位锌(OZn)、锌位氧(ZnO)、间隙氧(Oi)、间隙锌(Zni)等浓度变化的影响.实验结果表明,随着氧分压的增大,466nm处的蓝色发光峰增强,掺Ni后蓝色发光峰也增强.通过分析,推测出蓝色发光峰可能是由ZnO薄膜中的间隙锌(Zni)点缺陷引起的.
採用直流磁控濺射法製備瞭ZnO/(Ni)薄膜.研究瞭氧分壓及Ni摻雜對ZnO薄膜的結構、光緻髮光特性及薄膜中的幾種本徵缺陷如氧空位(VO)、鋅空位(VZn)、氧位鋅(OZn)、鋅位氧(ZnO)、間隙氧(Oi)、間隙鋅(Zni)等濃度變化的影響.實驗結果錶明,隨著氧分壓的增大,466nm處的藍色髮光峰增彊,摻Ni後藍色髮光峰也增彊.通過分析,推測齣藍色髮光峰可能是由ZnO薄膜中的間隙鋅(Zni)點缺陷引起的.
채용직류자공천사법제비료ZnO/(Ni)박막.연구료양분압급Ni참잡대ZnO박막적결구、광치발광특성급박막중적궤충본정결함여양공위(VO)、자공위(VZn)、양위자(OZn)、자위양(ZnO)、간극양(Oi)、간극자(Zni)등농도변화적영향.실험결과표명,수착양분압적증대,466nm처적람색발광봉증강,참Ni후람색발광봉야증강.통과분석,추측출람색발광봉가능시유ZnO박막중적간극자(Zni)점결함인기적.
