CAJ | 학술논문

用共沉淀法与高温焙烧法制备了样品CaMoO4:Eu3+.TG-DTA谱图表明:800℃时,样品吸收的能量最大,即形成稳定的CaMoO4:Eu3+结构.用XRD谱图进一步分析表明:800℃时,样品CaMoO4:Eu3+已形成CaMoO4的白钨矿结构.由于2个Eu3+取代3个Ca2+,导致了晶体产生微小的晶体缺陷,从而形成具有p-n结的半导体.经过激发和发射谱图的测试发现:这种缺陷结构不但可以使Eu3+禁戒的4f电子发生跃迁,而且可以使MoO42-的能量高效地传递给Eu3+.尤其使与MoO42-的发射特征峰(488 nm)部分重叠的Eu3+(465 nm)的7F0→5D2电子跃迁得到了极大的加强,进而在λex=465 nm的发射谱图中,自激活荧光体MoO42-的发射强度被大大减弱甚至猝灭,而Eu3+的5D0→7F2(612 nm)跃迁的红光发光强度被大大增强,使该材料成为有潜在应用价值的发光材料.
용공침정법여고온배소법제비료양품CaMoO4:Eu3+.TG-DTA보도표명:800℃시,양품흡수적능량최대,즉형성은정적CaMoO4:Eu3+결구.용XRD보도진일보분석표명:800℃시,양품CaMoO4:Eu3+이형성CaMoO4적백오광결구.유우2개Eu3+취대3개Ca2+,도치료정체산생미소적정체결함,종이형성구유p-n결적반도체.경과격발화발사보도적측시발현:저충결함결구불단가이사Eu3+금계적4f전자발생약천,이차가이사MoO42-적능량고효지전체급Eu3+.우기사여MoO42-적발사특정봉(488 nm)부분중첩적Eu3+(465 nm)적7F0→5D2전자약천득도료겁대적가강,진이재λex=465 nm적발사보도중,자격활형광체MoO42-적발사강도피대대감약심지졸멸,이Eu3+적5D0→7F2(612 nm)약천적홍광발광강도피대대증강,사해재료성위유잠재응용개치적발광재료.